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SQJ990EP-T1_GE3

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Artikelnummer
SQJ990EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQJ990EP-T1_GE3.pdf
Gesamt:$0.61221
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Artikelnummer
SQJ990EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Leistung max
48W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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