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RDN150N20FU6

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Artikelnummer
RDN150N20FU6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RDN150N20FU6.pdf
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Artikelnummer
RDN150N20FU6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
15A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1224pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FN
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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