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DMG8601UFG-7

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Artikelnummer
DMG8601UFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMG8601UFG-7.pdf
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Artikelnummer
DMG8601UFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.05V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 10V
Leistung max
920mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerUDFN
Supplier Device Package
U-DFN3030-8

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