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SSM6N7002BFU(T5L,F

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Artikelnummer
SSM6N7002BFU(T5L,F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SSM6N7002BFU(T5L,F.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SSM6N7002BFU(T5L,F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
17pF @ 25V
Leistung max
300mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
US6

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