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ZXMC6A09DN8TA

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Artikelnummer
ZXMC6A09DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXMC6A09DN8TA.pdf
Gesamt:$1.27500
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.27500

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Artikelnummer
ZXMC6A09DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.9A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1407pF @ 40V
Leistung max
1.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP

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