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IXFV30N60P

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Artikelnummer
IXFV30N60P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFV30N60P.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IXFV30N60P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PLUS220
Paket / fall
TO-220-3, Short Tab

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