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SFS1008GHMNG

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Artikelnummer
SFS1008GHMNG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SFS1008GHMNG.pdf
Gesamt:$0.35420
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.35420

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Artikelnummer
SFS1008GHMNG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 5A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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