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DMN1033UCB4-7

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Artikelnummer
DMN1033UCB4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN1033UCB4-7.pdf
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$0.28710

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Artikelnummer
DMN1033UCB4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.45W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
4-UFBGA, WLBGA
Supplier Device Package
U-WLB1818-4

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