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TSM60N1R4CP ROG

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Artikelnummer
TSM60N1R4CP ROG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM60N1R4CP ROG.pdf
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Erfrischungspreis
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Artikelnummer
TSM60N1R4CP ROG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
370pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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