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CSD17313Q2Q1T

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Artikelnummer
CSD17313Q2Q1T
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD17313Q2Q1T.pdf
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Artikelnummer
CSD17313Q2Q1T
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 17W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-WSON (2x2)
Paket / fall
6-WDFN Exposed Pad

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