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IPW65R048CFDAFKSA1

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Artikelnummer
IPW65R048CFDAFKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPW65R048CFDAFKSA1.pdf
Gesamt:$18.79000
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(In US-Dollar)
1Stck
$18.79000

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Artikelnummer
IPW65R048CFDAFKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
63.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 29.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7440pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Paket / fall
TO-247-3

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