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APTMC120AM08CD3AG

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Artikelnummer
APTMC120AM08CD3AG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1199.97000
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(In US-Dollar)
1Stck
$1199.97000

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Artikelnummer
APTMC120AM08CD3AG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 10mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
490nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9500pF @ 1000V
Leistung max
1100W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
D-3 Module
Supplier Device Package
D3

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