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PMDPB38UNE,115

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Artikelnummer
PMDPB38UNE,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PMDPB38UNE,115.pdf
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Artikelnummer
PMDPB38UNE,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
268pF @ 10V
Leistung max
510mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
DFN2020-6

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