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IPW60R055CFD7XKSA1

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Artikelnummer
IPW60R055CFD7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
HIGH POWERNEW
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPW60R055CFD7XKSA1.pdf
Gesamt:$11.32000
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(In US-Dollar)
1Stck
$11.32000

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Artikelnummer
IPW60R055CFD7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
HIGH POWERNEW
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
79nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3194pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
178W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Paket / fall
TO-247-3

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