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DMN1054UCB4-7

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Artikelnummer
DMN1054UCB4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN1054UCB4-7.pdf
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Artikelnummer
DMN1054UCB4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
908pF @ 6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
740mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
X1-WLB0808-4
Paket / fall
4-XFBGA, WLBGA

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