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GPAS1001 MNG

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Artikelnummer
GPAS1001 MNG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GPAS1001 MNG.pdf
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Artikelnummer
GPAS1001 MNG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 10A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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