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PMDPB95XNE,115

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Artikelnummer
PMDPB95XNE,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PMDPB95XNE,115.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
PMDPB95XNE,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 15V
Leistung max
475mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
DFN2020-6

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