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SI5997DU-T1-GE3

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Artikelnummer
SI5997DU-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI5997DU-T1-GE3.pdf
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Artikelnummer
SI5997DU-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
430pF @ 15V
Leistung max
10.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® ChipFet Dual

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