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PHB146NQ06LT,118

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Artikelnummer
PHB146NQ06LT,118
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PHB146NQ06LT,118.pdf
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Artikelnummer
PHB146NQ06LT,118
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 5V
Vgs (Max)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5675pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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