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DMN1150UFB-7B

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Artikelnummer
DMN1150UFB-7B
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN1150UFB-7B.pdf
Gesamt:$0.07350
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Erfrischungspreis
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Artikelnummer
DMN1150UFB-7B
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.41A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
106pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / fall
3-UFDFN

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