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SI7925DN-T1-E3

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Artikelnummer
SI7925DN-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7925DN-T1-E3.pdf
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Artikelnummer
SI7925DN-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8 Dual

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