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IRLS4030-7PPBF

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Artikelnummer
IRLS4030-7PPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLS4030-7PPBF.pdf
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Artikelnummer
IRLS4030-7PPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
190A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
11490pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
370W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK (7-Lead)
Paket / fall
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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