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HGT1S7N60A4DS

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Artikelnummer
HGT1S7N60A4DS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HGT1S7N60A4DS.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
HGT1S7N60A4DS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Teilestatus
Obsolete
IGBT-Typ
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
34A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
56A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 7A
Leistung max
125W
Energie wechseln
55µJ (on), 60µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
37nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
11ns/100ns
Testbedingung
390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
34ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263AB

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