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SI2301CDS-T1-GE3

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Artikelnummer
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI2301CDS-T1-GE3.pdf
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Artikelnummer
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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