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FDS8812NZ

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Artikelnummer
FDS8812NZ
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDS8812NZ.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
FDS8812NZ
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
126nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6925pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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