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LND150N3-G-P002

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Artikelnummer
LND150N3-G-P002
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.39140
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(In US-Dollar)
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$0.39140

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Artikelnummer
LND150N3-G-P002
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
10pF @ 25V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
740mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92-3
Paket / fall
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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