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SPU11N10

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Artikelnummer
SPU11N10
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SPU11N10.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SPU11N10
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 21µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
P-TO251-3-1
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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