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TSM230N06PQ56 RLG

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Artikelnummer
TSM230N06PQ56 RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM230N06PQ56 RLG.pdf
Gesamt:$0.21994
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Artikelnummer
TSM230N06PQ56 RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1680pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PDFN (5x6)
Paket / fall
8-PowerTDFN

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