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JAN1N4454-1

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Artikelnummer
JAN1N4454-1
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
JAN1N4454-1.pdf
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Artikelnummer
JAN1N4454-1
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1V @ 10mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)
4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package
DO-35
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C

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