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FDB86102LZ

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Artikelnummer
FDB86102LZ
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDB86102LZ.pdf
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Artikelnummer
FDB86102LZ
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1275pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263AB
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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