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FDN338P

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Artikelnummer
FDN338P
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDN338P.pdf
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Artikelnummer
FDN338P
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
451pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SuperSOT-3
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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