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TPAR3D S1G

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Artikelnummer
TPAR3D S1G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPAR3D S1G.pdf
Gesamt:$0.25041
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Artikelnummer
TPAR3D S1G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
Teilestatus
Active
Diodentyp
Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.55V @ 3A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
120ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F
58pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package
TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C

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