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2N6661-E3

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Artikelnummer
2N6661-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
2N6661-E3.pdf
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Artikelnummer
2N6661-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
90V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
860mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-39
Paket / fall
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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