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CSD86360Q5D

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Artikelnummer
CSD86360Q5D
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD86360Q5D.pdf
Gesamt:$1.17585
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.17585

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Artikelnummer
CSD86360Q5D
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2060pF @ 12.5
Leistung max
13W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerLDFN
Supplier Device Package
8-LSON (5x6)

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