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MBRT600200R

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Artikelnummer
MBRT600200R
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MBRT600200R.pdf
Gesamt:$123.58000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$123.58000

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Artikelnummer
MBRT600200R
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
Teilestatus
Active
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Anode
Diodentyp
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
920mV @ 300A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
1mA @ 200V
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Three Tower
Supplier Device Package
Three Tower

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