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STN1HNK60

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Artikelnummer
STN1HNK60
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STN1HNK60.pdf
Gesamt:$0.43579
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$0.43579

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Artikelnummer
STN1HNK60
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
400mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
156pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA

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