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BSB028N06NN3GXUMA1

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Artikelnummer
BSB028N06NN3GXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSB028N06NN3GXUMA1.pdf
Gesamt:$1.07250
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(In US-Dollar)
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$1.07250

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Artikelnummer
BSB028N06NN3GXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
22A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 102µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall
3-WDSON

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