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TPCC8001-H(TE12LQM

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Artikelnummer
TPCC8001-H(TE12LQM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPCC8001-H(TE12LQM.pdf
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Artikelnummer
TPCC8001-H(TE12LQM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
22A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall
8-PowerVDFN

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