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SIB412DK-T1-E3

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Artikelnummer
SIB412DK-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIB412DK-T1-E3.pdf
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Artikelnummer
SIB412DK-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.16nC @ 5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
535pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-75-6L Single
Paket / fall
PowerPAK® SC-75-6L

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