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STL8N6F7

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Artikelnummer
STL8N6F7
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STL8N6F7.pdf
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Artikelnummer
STL8N6F7
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / fall
8-PowerVDFN

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