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GT10J312(Q)

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Artikelnummer
GT10J312(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GT10J312(Q).pdf
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Artikelnummer
GT10J312(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Teilestatus
Obsolete
IGBT-Typ
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
20A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Leistung max
60W
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C
400ns/400ns
Testbedingung
300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
200ns
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-220SM

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