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IRFR8314TRPBF

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Artikelnummer
IRFR8314TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFR8314TRPBF.pdf
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Artikelnummer
IRFR8314TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4945pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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