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SIZ918DT-T1-GE3

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Artikelnummer
SIZ918DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIZ918DT-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.59040
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(In US-Dollar)
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$0.59040

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Artikelnummer
SIZ918DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 15V
Leistung max
29W, 100W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerWDFN
Supplier Device Package
8-PowerPair® (6x5)

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