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FQB27P06TM

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Artikelnummer
FQB27P06TM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQB27P06TM.pdf
Gesamt:$0.92753
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Artikelnummer
FQB27P06TM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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