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TPC8221-H,LQ(S

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Artikelnummer
TPC8221-H,LQ(S
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPC8221-H,LQ(S.pdf
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Artikelnummer
TPC8221-H,LQ(S
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 10V
Leistung max
450mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP

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