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DMN2114SN-7

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Artikelnummer
DMN2114SN-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN2114SN-7.pdf
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Artikelnummer
DMN2114SN-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-59-3
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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