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STI100N10F7

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Artikelnummer
STI100N10F7
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STI100N10F7.pdf
Gesamt:$0.84535
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.84535

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Artikelnummer
STI100N10F7
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 25V
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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