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FDMD8680

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Artikelnummer
FDMD8680
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDMD8680.pdf
Gesamt:$1.28868
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$1.28868

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Artikelnummer
FDMD8680
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5330pF @ 40V
Leistung max
39W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerWDFN
Supplier Device Package
8-Power 5x6

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