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2SK1341-E

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Artikelnummer
2SK1341-E
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
2SK1341-E.pdf
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Artikelnummer
2SK1341-E
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Paket / fall
TO-3P-3, SC-65-3

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