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NTP082N65S3F

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Artikelnummer
NTP082N65S3F
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 82 MOHM TO220 P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$5.52000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$5.52000

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Artikelnummer
NTP082N65S3F
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 82 MOHM TO220 P
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3410pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
313W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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